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參數資料
| 型號： | 2SB1667 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 晶體管（音頻功率放大器應用） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | 2SB1667 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1678 | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SB1686 | SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 2SD2642 | SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 2SB1691 | Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier |
| 2SB1691WL | Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1669-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| 2SB167900L | 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1679G0L | 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1682(Q) | 功能描述:達林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1689T106 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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