- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370060 > 2SB1669 (NEC Corp.) PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SB1669 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
| 中文描述： | 進步黨硅外延的高晶體管高速開關 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | 2SB1669 |
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
2002
Document No. D15410EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published July 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON POWER TRANSISTOR
2SB1669
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
The 2SB1669 is a power transistor that can be directly driven from
the output of an IC. This transistor is ideal for OA and FA equipment
such as motor and solenoid drivers.
FEATURES
High DC current amplifier rate
h
FE
≥
100 (V
CE
=
5.0 V, I
C
=
0.5 A)
Z type available for surface mounting supported prodcuts
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
Conditions
Ratings
60
60
7.0
3.0
6.0
Unit
V
V
V
A
A
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (pulse)
PW
≤
10 ms,
duty cycle
≤
50%
Base current (DC)
Total power dissipation
I
B(DC)
P
T
1.0
25
1.5
150
A
W
W
°
C
°
C
(T
C
= 25
°
C)
(T
A
= 25
°
C)
Junction temperature
Storage temperature
T
j
T
stg
55 to +150
ORDERING INFORMATION
Part No.
2SB1669
2SB1669-S
2SB1669-Z
Package
TO-220AB
TO-262
TO-220SMD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1672 | Power Transistor(功率晶體管) |
| 2SB1675 | Power Transistor(功率晶體管) |
| 2SB1676 | Medium Power Transistor(中等功率晶體管) |
| 2SB1688 | Silicon PNP Epitaxial High voltage amplifier |
| 2SB1690 | General purpose amplification(−12V, −2A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1669-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| 2SB167900L | 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1679G0L | 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1682(Q) | 功能描述:達林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1689T106 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。