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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1672 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Transistor(功率晶體管) |
| 中文描述： | 功率晶體管（功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SB1672 |
2SB1672
Transistors
Power Transistor (
80V,
7A)
2SB1672
!
Features
1) Low saturation voltage.
(Typ. V
CE(sat)
=
0.3V at I
C
/ I
B
=
4A /
0.4A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Pc =
30W (Tc =
25
°
C).
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SD2611.
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
80
80
5
7
10
2
30
150
55
～ +
150
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
W(Tc
=
25
°
C)
°
C
°
C
Single pulse, Pw
=
100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
*
*
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
0.75
0.8
2.54
(3)
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(2)
5
8
1
1
1
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SB1672
TO-220FN
EF
500
Basic ordering unit (pieces)
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Min.
80
80
5
Typ.
Max.
10
10
1
1.5
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
Conditions
h
FE
f
T
Cob
100
12
200
320
MHz
pF
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
80V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
4A/
0.4A
I
C
/I
B
=
4A/
0.4A
V
CE
/I
C
=
5V/
1A
V
CE
=
5V , I
E
=
0.5A , f
=
5MHz
V
CB
=
10V , I
E
=
0A , f
=
1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1675 | Power Transistor(功率晶體管) |
| 2SB1676 | Medium Power Transistor(中等功率晶體管) |
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| 2SB1694 | General purpose amplification (−30V, −1A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB167900L | 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1679G0L | 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1682(Q) | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1689T106 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1690KT146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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