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參數資料
| 型號： | 2SB1694 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | General purpose amplification (−30V, −1A) |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SB1694 |
2SB1694
Transistors
General purpose amplification (
30V,
1A)
1/2
2SB1694
!
Application
Low frequency amplifier
Driver
!
Features
1) A collector current is large.
2) Collector saturation voltage is low.
V
CE(sat)
≤
380mV
At I
C
=
500mA / I
B
=
25mA
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
!
External dimensions
(Units : mm)
Abbreviated symbol : ES
Each lead has same dimensions
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
JEDEC : SOT-323
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
1.25
2.1
0
0
0
0.1Min.
(
0
0
0
0
(
2
1
(
0
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
30
30
6
1
2
200
150
55~
+
150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, P
W
=
1ms
!
Packaging specifications
2SB1694
T106
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
1
Pulsed
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
30
30
6
270
Typ.
180
Max.
100
100
380
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
320
7
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
100mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
30V
V
EB
=
30V
I
C
=
500mA, I
B
=
25mA
V
CE
=
2V, I
C
=
100mA
Cob
1
1
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