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參數資料
| 型號： | 2SB1694T106 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | UMT3, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2SB1694T106 |
2SB1694
Transistors
Rev.B
1/2
General purpose amplification (
30V, 1A)
2SB1694
Application
Low frequency amplifier
Driver
Features
1) A collector current is large.
2) Collector saturation voltage is low.
VCE(sat)
≤ 380mV
At IC =
500mA / IB = 25mA
Dimensions (Units : mm)
Abbreviated symbol : ES
Each lead has same dimensions
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
JEDEC : SOT-323
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
1.25
2.1
0.3
0.15
0~0.1
0.1Min.
( 3
)
0.9
0.7
0.2
0.65
( 2
)
2.0
1.3
( 1
)
0.65
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
30
6
1
200
150
55~+150
2
Unit
V
A
mW
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, PW=1ms
Packaging specifications
2SB1694
T106
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
320
MHz
VCE
=2V, IE=100mA, f=100MHz
BVCBO
30
V
IC
=10A
BVCEO
30
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=30V
IEBO
100
nA
VEB
=30V
VCE(sat)
180
380
mV
IC
=500mA, IB=25mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=100mA
Cob
7
pF
1
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
1 Pulsed
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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