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參數資料
| 型號： | 2SB1705TL |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | 2SB1705TL |
2SB1705
Transistors
Rev.C
1/2
Low frequency amplifier
2SB1705
Application
Low frequency amplifier
Driver
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat)
≤ 250mV
At IC=
1.5A / IB=30mA
External dimensions (Unit : mm)
Each lead has same dimensions
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
TSMT3
0~0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
0.3
~
0.6
(2)
(1)
(3)
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
3
500
150
55 to +150
6
1
Unit
V
A
mW
°C
2
Each Termminal Mounted on a Recommended
1
2
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, PW
=1ms
Equivalent circuit
(3)
(2)
(1)
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
= 10V, IE=0A, f=1MHz
fT
280
MHz
VCE
= 2V, IE=500mA, f=100MHz
BVCBO
15
V
IC
= 10A
BVCEO
12
V
IC
= 1mA
BVEBO
6
V
IE
= 10A
ICBO
100
nA
VCB
= 15V
IEBO
100
nA
VEB
= 6V
VCE(sat)
120
250
mV
IC
= 1.5A, IB= 30mA
hFE
270
680
VCE
= 2V, IC= 500mA
Cob
30
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Pulsed
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1714T100 | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB2284 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB553O | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB562C | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB562 | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1706TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1707TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1708TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1709TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1710TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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