型號: | 2SB852K |
廠商: | Rohm CO.,LTD. |
英文描述: | High-gain Amplifier Transistor (-32V, -0.3A) |
中文描述: | 高增益放大器晶體管(- 32V的,- 0.3A) |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 52K |
代理商: | 2SB852K |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD1383K | High-gain Amplifier Transistor (-32V, -0.3A) |
2SA836 | Silicon PNP Epitaxial(小信號晶體管) |
2SA844 | Silicon PNP Epitaxial(小信號晶體管) |
2SA854 | Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SB852K_1 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High-gain Amplifier Transistor (−32V, −0.3A) |
2SB852KA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 32V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SOT-23VAR |
2SB852KB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 32V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59 |
2SB852KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SB852KT146B | 功能描述:達林頓晶體管 DARL PNP 32V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |