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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC2808S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SPAK |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁| 50mA的一（c）| SPAK |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SC2808S |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2808SE | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SPAK |
| 2SC2808SR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SPAK |
| 2SC2808SS | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SPAK |
| 2SC2812 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23 |
| 2SC2812-4 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23 |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2812 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. SC-5955V .15A .2W ECB SURFACE MT 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC2812N6-CPA-TB-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC2812N6-TB-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC2814 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. SC-5930V .03A .15W ECB SURFACE MT 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC2814-4-TB-E | 功能描述:TRANS NPN 20V 30MA 3CP RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
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