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參數資料
| 型號： | 2SC3303-O(2-7B1A) |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | 2SC3303-O(2-7B1A) |
2SC3303
2005-02-01
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3303
High Current Switching Applications
DC-DC Converter Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 3 A)
High speed switching time: tstg = 1.0 s (typ.)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
5
Collector current
Pulse
ICP
8
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
1.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Industrial Applications
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD1160-Y | 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1160-O | 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3303Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251AA |
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| 2SC3303-Y(T6L1,NQ) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3303-YQ | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:POWER TRANSISTOR |
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