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參數資料
| 型號： | 2SC3649R |
| 英文描述： | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 160V五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|至247 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 478K |
| 代理商： | 2SC3649R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3649S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-247 |
| 2SC3649T | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC3655 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SC367GTM | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC367TM | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3649S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649S-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649T-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3650-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 25V 1.2A 800 to 3200 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 25V 1.2A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
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