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參數資料
| 型號： | 2SC3665-Y |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | 2SC3665-Y |
2SC3665
2006-11-09
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC3665
Audio Power Amplifier Applications
Driver-Stage Amplifier Applications
Complementary to 2SA1425.
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
120
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
800
mA
Base current
IB
80
mA
Collector power dissipation
PC
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3670-A | 2000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3670 | 2000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3670-D | 2000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3671-C | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3672-O | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3665-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 3-Pin MSTM |
| 2SC3665-Y(T2NSW,FM | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 |
| 2SC3665-Y,T2F(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 |
| 2SC3665-Y,T2NSF(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 |
| 2SC3665-Y,T2YNSF(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 |
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