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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3666 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | 2-7D101A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | 2SC3666 |
2SC3666
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC3666
Audio Power Amplifier Applications
High DC current gain: hFE (1) = 100 to 320
High power dissipation: PC = 1000 mW
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
30
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
1
A
Base current
IB
0.1
A
Collector power dissipation
PC
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 30 V, IE = 0
―
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
30
―
V
hFE (1)
(Note)
VCE = 2 V, IC = 100 mA
100
―
320
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 800 mA
40
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 800 mA, IB = 80 mA
―
0.5
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 2 V, IC = 800 mA
―
0.9
1.5
V
Transition frequency
fT
VCE = 2 V, IC = 100 mA
―
150
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, f = 1 MHz
―
13
―
pF
Note: hFE (1) classification O: 100 to 200, Y: 160 to 320
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
C3666
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Characteristics
indicator
Part No. (or abbreviation code)
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PDF描述 |
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