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參數資料
| 型號： | 2SC3933 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | 2SC3933 |
1
Transistor
2SC3933
Silicon NPN planer type
For UHF amplification/mixing
s Features
q
High power gain PG.
q
High transition frequency fT.
q
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
EIAJ:SC–70
3:Collector
S–Mini Type Package
2.1
±0.1
1.3
±0.1
0.9
±0.1
0.7
±0.1
0.3
+0.1
–0
0.15
+0.1
–0.05
2.0
±0.2
1.25
±0.1
0.425
1
3
2
0.65
0.2
0.65
0
to
0.1 0.2
±0.1
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
30
20
3
20
150
–55 ~ +150
Unit
V
mA
mW
C
s Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Forward current transfer ratio
Transition frequency
Collector output capacitance
Common emitter reverse transfer capacitance
Power gain
Noise figure
Symbol
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
hFE3
fT
Cob
Crb
PG*
NF*
Conditions
VCB = 25V, IE = 0
VEB = 3V, IC = 0
VCB = 10V, IE = –3mA
VCB = 10V, IE = –10mA
VCB = 10V, IE = –100A
VCB = 10V, IE = –3mA, f = 200MHz
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
VCC = 11V, VAGC = 3V, f = 800MHz
min
40
60
750
14
typ
1100
0.7
0.15
max
1
10
200
1400
5
Unit
A
MHz
pF
dB
*PG, NF Refer to the measurment circuit
Marking symbol :
1T
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SC3934G0L | 功能描述:TRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC39350PL | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC39350QL | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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