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參數資料
| 型號： | 2SC4097T106Q |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | UMT3, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | 2SC4097T106Q |
2SC4097
Transistors
Rev.A
1/3
Medium Power Transistor (32V, 0.5A)
2SC4097
Features
1) High ICMax.
ICMax.
= 0.5A
2) Low VCE(sat).
Optimal for low voltage operation.
3) Complements the 2SA1577.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
External dimensions (Units : mm)
2SC4097
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
0 ~ 0.1
(2)
(1)
(3)
0.1
0.4
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.9
±0.1
0.2
0.7
±0.1
0.15
±0.05
0.3
2.0
±0.2
1.3
±0.1
0.65 0.65
+0.1
0
Abbreviated symbol : C
All terminals have same dimensions
Denotes hFE
Absolute maximum ratings (Ta = 25
°C)
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PC
Tj
Tstg
40
V
A
W
°C
32
5
0.5
IC
0.2
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
PC must not be exceeded.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4097T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4097W | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| 2SC4098 | 制造商:HTSEMI 制造商全稱:Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 功能描述:TRANSISTOR (NPN) |
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| 2SC4098P | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70 |
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