- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369113 > 2SC4102S TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC4102S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|的SC - 70 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | 2SC4102S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3906K | High-voltage Amplifier Transistor(120V, 50mA) |
| 2SC2389S | High-voltage Amplifier Transistor(120V, 50mA) |
| 2SC4102 | High-voltage Amplifier Transistor(120V, 50mA) |
| 2SC3907 | NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
| 2SC3912 | Switching Applications(with Bias Resistance) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4102T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC4102T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4102T106S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4102W | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| 2SC4103 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23VAR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。