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參數資料
型號: 2SC4132R
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62
中文描述: 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五(巴西)總裁|甲一(c)|律師- 62
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 107K
代理商: 2SC4132R
(96-237-C74)
External dimensions (Units: mm)
243
Transistors
Low Frequency Transistor
(20V, 3A)
2SD2150 / 2SC4115S / 2SD2264
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.2V (Typ.)
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.1A)
2) Excellent current gain characteris-
tics.
3) Complements the
2SB1424 / 2SA1585S.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關PDF資料
PDF描述
2SC4132T100P SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC4132T100Q BJT
2SC4132T100R SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC4133 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK
2SC4171L SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC4132T100/Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4132T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4132T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4132T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4133 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSPA 50V .1A .3W ECB
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