型號: | 2SC4132R |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
中文描述: | 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五(巴西)總裁|甲一(c)|律師- 62 |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大小: | 107K |
代理商: | 2SC4132R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC4132T100P | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC4132T100Q | BJT |
2SC4132T100R | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC4133 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
2SC4171L | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SC4132T100/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4132T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4132T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4132T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4133 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSPA 50V .1A .3W ECB |