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參數資料
| 型號： | 2SC4663R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 200伏五（巴西）總裁| 5A條一（c）|至247VAR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | 2SC4663R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4664 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4664M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
| 2SC4664N | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4664P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
| 2SC4664R | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4664-4000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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