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參數資料
| 型號： | 2SC4784YA-TL-E |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CMPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | 2SC4784YA-TL-E |
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 8
2SC4784
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G0730-0300
(Previous ADE-208-1121A)
Rev.3.00
Aug.10.2005
Application
VHF / UHF wide band amplifier
Features
High gain bandwidth product
fT = 10 GHz Typ.
High gain, low noise figure
PG = 15.0 dB Typ, NF = 1.2 dB Typ at f = 900 MHz
Outline
1. Emitter
2. Base
3. Collector
1
2
3
RENESAS Package code: PTSP0003ZA-A
(Package name: CMPAK R )
Note:
Marking is “YA–”.
*CMPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.
Attention: This is electrostatic sensitive device.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
15
V
Collector to emitter voltage
VCEO
8
V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
20
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4793 | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4793-BP | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4806 | 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4807ERTR-E | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4811-M | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4784YA-TR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4793 | 功能描述:TRANS NPN 230V 1A TO220NIS RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC4793(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 230V 1A 100 to 320 TO220NIS Bulk |
| 2SC4793(F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4793(LBSAN,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
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