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參數資料
| 型號： | 2SC4808 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification) |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SC4808 |
1
Transistor
2SC4808
Silicon NPN epitaxial planer type
For UHF band low-noise amplification
I
Features
G
Low noise figure NF.
G
High gain.
G
High transition frequency f
T
.
G
SSMini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–75
SS–Mini Type Package
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
–
0
+
–
1
2
3
0.2
±
0.1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
15
10
2
80
125
125
–55 ~ +125
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Transition frequency
Collector output capacitance
Foward transfer gain
Maximum unilateral power gain
Noise figure
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
CEO
h
FE
f
T
C
ob
| S
21e
|
2
GUM
NF
Conditions
V
CB
= 10V, I
E
= 0
V
EB
= 2V, I
C
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
V
CE
= 8V, I
C
= 20mA
*
V
CE
= 8V, I
C
= 15mA, f = 800MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
V
CE
= 8V, I
C
= 15mA, f = 800MHz
V
CE
= 8V, I
C
= 15mA, f = 800MHz
V
CE
= 8V, I
C
= 7mA, f = 800MHz
min
15
10
50
5
11
typ
150
6
0.7
14
15
max
1
1
300
1.2
2
Unit
μ
A
μ
A
V
V
GHz
pF
dB
dB
dB
Marking symbol :
3M
*
Pulse measurement
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4809J | For high-frequency amplification/oscillation/mixing |
| 2SC4809 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4808G0L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC4808J0L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC4809J0L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SSMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC4815-T-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin MP-10 T/R |
| 2SC4815-T-AZ(L) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
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