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參數資料
| 型號： | 2SC5549 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | 2SC5549 |
2SC5549
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5549
High-Speed Switching Application for Inverter Lighting
System
Suitable for RCC circuits. (guaranteed small current hFE)
: hFE = 13 (min) (IC = 1 mA)
High speed: tr = 0.5 s (max), tf = 0.3 s (max) (IC = 0.24 A)
High breakdown voltage: VCEO = 400 V
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
400
V
Collector-emitter voltage
VCEO
400
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
1
Collector current
Pulse
ICP
2
A
Base current
IB
0.5
A
Collector power dissipation
PC
0.9
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 320 V, IE = 0
―
100
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
100
A
Collector-base breakdown voltage
V (BR) CBO
IC = 1 mA, IE = 0
400
―
V
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
400
―
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 1 mA
13
―
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 0.04 A
20
―
65
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 0.2 A, IB = 25 mA
―
1.0
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 0.2 A, IB = 25 mA
―
1.3
V
Rise time
tr
―
0.5
Storage time
tstg
―
5.0
Switching time
Fall time
tf
IB1 = 0.03 A, IB2 = 0.06 A,
Duty cycle ≤ 1%
―
0.3
s
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
SC-65
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
I B1
20 s
VCC ≈ 200 V
Output
833
IB2
IB1
Input
I B2
IC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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