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參數資料
型號: 2SC5554
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: 1.40 X 0.80 MM, 0.59 MM HEIGHT, MFPAK-3
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 167K
代理商: 2SC5554
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)
Accordingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand
names are mentioned in the document, these names have in fact all been changed to Renesas
Technology Corp. Thank you for your understanding. Except for our corporate trademark, logo and
corporate statement, no changes whatsoever have been made to the contents of the document, and
these changes do not constitute any alteration to the contents of the document itself.
Renesas Technology Home Page: http://www.renesas.com
Renesas Technology Corp.
Customer Support Dept.
April 1, 2003
To all our customers
相關PDF資料
PDF描述
2SC5562 0.8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5562 0.8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5563 0.02 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5570 28 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5574E 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC555600L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5563(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 1.5KV 0.02A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SC5565-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 30V 5A 200 to 560 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 5A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5566-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5569-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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