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參數資料
型號: 2SC5624
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CMPAK-4
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 47K
代理商: 2SC5624
2SC5624
Silicon NPN Epitaxial
High Frequency Low Noise Amplifier
ADE-208-978 (Z)
1st. Edition
Nov. 2000
Features
High gain bandwidth product
f
T = 28 GHz typ.
High power gain and low noise figure ;
PG = 18dB typ. , NF = 1.2dB typ. at f = 1.8GHz
Outline
CMPAK-4
1. Emitter
2. Collector
3. Emitter
4. Base
1
4
3
2
Note: Marking is “VH-”.
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PDF描述
2SC5628XZ-TL-E UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5648 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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相關代理商/技術參數
參數描述
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2SC5632G0L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5646A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5654G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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