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參數資料
| 型號： | 2SC5730KT146R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SMT3, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SC5730KT146R |
2SC5730K
Transistors
1/3
Medium power transistor (30V, 1A)
2SC5730K
Features
1) High speed switching.
(Tf : Typ. : 50ns at IC = 1.0A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 150mV at IC = 500mA, IB = 50mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2048K
Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
External dimensions (Unit : mm)
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : UM
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
SMT3
(SC-59)
<SOT-346>
0.8
0.15
0.3Min.
1.1
( 2
)
( 1
)
2.8
1.6
0.4
( 3
)
2.9
1.9
0.95
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Packaging specifications
Taping
2SC5730K
Type
T146
3000
Package
Basic ordering unit (pieces)
Code
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
V
A
mW
°C
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
DC
Pulsed
30
6
1.0
2.0
200
150
55 to 150
1
2
1 Pw=10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5730TLQ | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5739P | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC5739Q | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SC5730TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5731T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5731T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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