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參數資料
| 型號： | 2SC5785 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
| 中文描述： | 東芝晶體硅npn型外延式 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | 2SC5785 |
2SC5785
2001-12-17
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5785
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
Strobe Applications
High DC current gain: h
FE
= 400 to 1000 (I
C
= 0.2 A)
Low collector-emitter saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.12 V (max)
High-speed switching: t
f
= 25 ns (typ.)
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
20
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
10
V
Emitter-base voltage
V
EBO
7
V
DC
I
C
2.0
Collector current
Pulse
I
CP
3.5
A
Base current
I
B
200
mA
t
=
10 s
2.0
Collector power
dissipation
DC
P
C
(Note 1)
1.0
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
2
)
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR) CEO
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
10
V
h
FE
(1)
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.2 A
400
1000
DC current gain
h
FE
(2)
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.6 A
200
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
=
0.6 A, I
B
=
12 mA
0.12
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
=
0.6 A, I
B
=
12 mA
1.10
V
Rise time
t
r
60
Storage time
t
stg
215
Switching time
Fall time
t
f
See Figure 1 circuit diagram.
V
CC
～
6 V, R
L
=
10
I
B1
=
I
B2
=
12 mA
25
ns
Industrial Applications
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5788 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SC5791 | IC - FLASH, 128 MBIT (8M X 16/4M X 32), 3.3V, 80 F |
| 2SC5792 | IC - FLASH, 128 MBIT (8M X 16/4M X 32), 3.3V, 80 F |
| 2SC5809 | Shrink Tubing; Tubing Size Diameter:0.75"; Wall Thickness Recovered Nominal:0.065"; Inner Diameter Max Recovered:0.313"; Expanded Inner Diameter:0.750"; Material:Polyolefin |
| 2SC5810 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SC57880PA | 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC57880QA | 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5793-YD | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SC5808-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
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