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參數資料
| 型號： | 2SC5812 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MFPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | 2SC5812 |
2SC5812
Silicon NPN Epitaxial
VHF/UHF wide band amplifier
ADE-208-1468(Z)
Rev.0
Nov. 2001
Features
High power gain, Low noise figure at low power operation:
|S
21|
2 = 17 dB typ, NF = 1.0 dB typ (V
CE = 1 V, IC = 5 mA, f = 900 MHz)
Outline
MFPAK
1
3
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note: Marking is “WG–“.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5824T100Q | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5824T100 | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5828 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5846G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5851 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC581300L | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5819(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62 |
| 2SC582 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5823-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 1.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5824T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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