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參數資料
| 型號： | 2SC5825 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-63, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | 2SC5825 |
1/3
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.09 - Rev.C
Power transistor (60V, 3A)
2SC5825
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High speed switching.
(Tf : Typ. : 30ns at IC = 3A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 200mV at IC = 2A, IB = 0.2mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2072.
Applications
Low frequency amplifier
High speed switching
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Packaging specifications
Taping
2SC5825
Type
TL
2500
Package
Basic ordering unit (pieces)
Code
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
Parameter
V
A
W
°C
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Continuous
Pulsed
60
6
3
6
1.0
10.0
150
55 to 150
1
2
3
1 Pw=10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land
3 Tc=25°C
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : C5825
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
CPT3
(SC-63)
<SOT-428>
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SC5825TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SC5826TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 3A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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