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參數資料
| 型號： | 2SC605(B)K |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | 2SC605(B)K |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6079 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6081 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC6081 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC6083A | 1000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6087 | 2.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC606 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SC6060(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6060(STA4,Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6061 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type |
| 2SC6061(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 120V 1A TSM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 120V 1A hfe120-300 0.2us |
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