- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄55791 > 2SC6058LS-M POWER TRANSISTOR, TO-220AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC6058LS-M |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | SC-67, TO-220FI(LS), 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | 2SC6058LS-M |
2SC6058LS
No.8560-1/4
Features
High breakdown voltage and high reliability
Ultrahigh-speed switching
Wide ASO
Adoption of MBIT process
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
500
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
400
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current
IC
7A
Collector Current (Pulse)
ICP
PW≤300μs, duty cycle≤10%
14
A
Base Current
IB
3A
Collector Dissipation
PC
2.0
W
Tc=25°C25
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7509-003
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
51111KB TKIM TB-00001699
http://semicon.sanyo.com/en/network
2SC6058LS
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Switching Regulator Applications
Ordering number : EN8560
16.0
14.0
3.6
3.5
7.2
16.1
0.7
2.55
2.4
1.2
0.9
0.75
0.6
1.2
4.5
2.8
12 3
10.0
3.2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220FI(LS)
Product & Package Information
Package
: TO-220FI(LS)
JEITA, JEDEC
: SC-67, TO-220F, SOT-186A
Minimum Packing Quantity
: 100pcs./bag, 50pcs./magazine
Marking
Electrical Connection
1
3
2
LOT No.
Rank
C6058
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6064 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6067 | 5000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6079 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6117 | 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6118LS | 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC606 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SC6060(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6060(STA4,Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6061 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type |
| 2SC6061(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 120V 1A TSM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 120V 1A hfe120-300 0.2us |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。