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參數資料
型號: 2SC6079
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 188K
代理商: 2SC6079
2SC6079
2007-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC6079
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)(IC = 1A)
High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
160
V
Collector-emitter voltage
VCEX
160
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
9
V
DC
IC
2.0
A
Collector current
Pulse
ICP
4.0
A
Base current
IB
1.5
A
Collector power dissipation
PC
1
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7D101A
Weight:0.2g(typ)
1 : BASE
2 : COLLECTOR
3 : EMITTER
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PDF描述
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