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參數資料
| 型號： | 2SD0601AQ |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 235K |
| 代理商： | 2SD0601AQ |
Transistors
1
Publication date: April 2003
SJC00190BED
2SD0601A (2SD601A)
Silicon NPN epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SB0709A (2SB709A)
■ Features
High foward current transfer ratio h
FE
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
7V
Collector current
IC
100
mA
Peak collector current
ICP
200
mA
Collector power dissipation
PC
200
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 A, IE = 060
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 2 mA, IB = 050
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE
= 10 A, I
C
= 07
V
Collector-base cut-off current (Emitter open)
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
0.1
A
ICEO
VCE = 10 V, IB= 0
100
A
Forward current transfer ratio
hFE1 *
VCE
= 10 V, I
C
= 2 mA
160
460
hFE2
VCE = 2 V, IC = 100 mA
90
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.1
0.3
V
Transition frequency
fT
VCB
= 10 V, I
E
= 2 mA, f = 200 MHz
150
MHz
Noise voltage
NV
VCE = 10 V, IC = 1 mA, GV = 80 dB
110
mV
Rg = 100 k, Function = FLAT
Collector output capacitance
Cob
VCB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
3.5
pF
(Common base, input open circuited)
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Unit: mm
1: Base
2: Emitter
3: Collector
Mini3-G1 Package
Marking Symbol: Z
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Rank
Q
R
S
No-rank
hFE1
160 to 260
210 to 340
290 to 460
160 to 460
Marking symbol
ZQ
ZR
ZS
Z
0.40
+0.10
–0.05
(0.65)
1.50
+0.25 –0.05
2.8
+0.2 –0.3
2
1
3
(0.95) (0.95)
1.9±0.1
2.90
+0.20
–0.05
0.16
+0.10
–0.06
0.4
±
0.2
5
10
0
to
0.1
1.1
+0.2 –0.1
1.1
+0.3 –0.1
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0602S | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0661AT | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD661AS | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0661T | 100 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD661T | 100 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD0601AQL | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD0601AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD0601ARL | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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