欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: 2SD1323
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 51K
代理商: 2SD1323
1
Transistor
2SD1302
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage output amplification
For muting
For DC-DC converter
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Low ON resistance R
on
.
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
JEDEC:TO–92
EIAJ:SC–43A
5.0
±
0.2
4.0
±
0.2
5
±
0
1
±
0
0.45
+0.2
0.45
+0.2
1.27
1.27
2
±
0
2.54
±
0.15
2
1
3
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
25
20
12
1
0.5
600
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
ON resistanse
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
R
on*3
Conditions
V
CB
= 25V, I
E
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
*2
I
C
= 0.5A, I
B
= 20mA
I
C
= 0.5A, I
B
= 50mA
V
CB
= 10V, I
E
= –50mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
25
20
12
200
60
typ
0.13
200
10
1.0
max
100
800
0.4
1.2
Unit
nA
V
V
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
T
h
FE1
200 ~ 350
300 ~ 500
400 ~ 800
*2
Pulse measurement
*3
R
on
Measurement circuit
V
B
I
B
=1mA
R
on
= V
1000(
)
A
–V
B
f=1kHz
V=0.3V
1k
V
A
V
V
V
B
相關PDF資料
PDF描述
2SD1323P Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SD1323Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186
2SD1323R Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SD1324 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186
2SD1324P Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD1325 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 50V 2A 35W BCE
2SD1326 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 50V 4A 40W BCE
2SD1328 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD132800L 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD13280RL 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
主站蜘蛛池模板: 遵义市| 新化县| 健康| 高碑店市| 江门市| 通化县| 嘉善县| 神农架林区| 库尔勒市| 武胜县| 华宁县| 璧山县| 姜堰市| 榆树市| 井冈山市| 徐水县| 平远县| 杭锦旗| 白河县| 宁远县| 邢台县| 木兰县| 盐池县| 黑河市| 南城县| 牟定县| 兴和县| 伊吾县| 呈贡县| 乐业县| 舟曲县| 乌兰浩特市| 河南省| 措美县| 玉林市| 孝昌县| 礼泉县| 通榆县| 高清| 铜梁县| 吉木萨尔县|