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參數資料
型號: 2SD1325Q
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-220, FULL PACK-3
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 168K
代理商: 2SD1325Q
1
Power Transistors
2SD1325
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For midium speed power switching
s Features
q
Incorporating a zener diode of 60V zener voltage between col-
lector and base
q
Minimized variation in the breakdown voltage
q
Large energy handling capability
q
High-speed switching
q
Full-pack package which can be installed to the heat sink with
one screw
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
60
±10
60
±10
5
4
2
35
2
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Energy handling capability
Symbol
ICBO
IEBO
VCEO
hFE1
hFE2
*1
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
ton
tstg
tf
Es/b
*2
Conditions
VCB = 50V, IE = 0
VEB = 5V, IC = 0
IC = 5mA, IB = 0
VCE = 4V, IC = 1A
VCE = 4V, IC = 2A
IC = 2A, IB = 8mA
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz
IC = 2A, IB1 = 8mA, IB2 = –8mA,
VCC = 20V
IC = 0.71A, L = 100mH, RBE = 100
min
50
1000
2000
25
typ
20
0.4
3
1
max
100
2
70
10000
2.5
Unit
A
mA
V
MHz
s
mJ
*1h
FE2 Rank classification
Rank
Q
P
hFE2
2000 to 5000 4000 to 10000
TC=25°C
Ta=25
°C
*2E
s/b Test circuit
Unit: mm
Internal Connection
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TO–220 Full Pack Package(a)
10.0
±0.2
5.5
±0.2
7.5
±0.2
16.7
±0.3
0.7
±0.1
14.0
±0.5
Solder
Dip
4.0
0.5
+0.2
–0.1
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.8
±0.1
2.54
±0.25
5.08
±0.5
2
13
2.7
±0.2
4.2
±0.2
4.2
±0.2
φ3.1±0.1
B
E
C
X
L
1
Y
G
6V
120
R
BE
60Hz mercury relay
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
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相關PDF資料
PDF描述
2SD1326P 4 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1327P 8 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1349 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
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2SD132800L 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SD13280SL 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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