- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371524 > 2SD1326 (PANASONIC CORP) Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For midium speed power switching PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SD1326 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For midium speed power switching |
| 中文描述： | 4 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F |
| 封裝： | TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2SD1326 |
1
Power Transistors
2SD1326
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For midium speed power switching
I
Features
G
Incorporating a zener diode of 60V zener voltage between col-
lector and base
G
Minimized variation in the breakdown voltage
G
Large energy handling capability
G
High-speed switching
G
Full-pack package which can be installed to the heat sink with
one screw
I
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
60
±
10
60
±
10
5
8
4
40
2
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(T
C
=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Energy handling capability
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
h
FE1
h
FE2*1
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
t
on
t
stg
t
f
E
s/b*2
Conditions
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
V
CE
= 3V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 3V, I
C
= 3A
I
C
= 3A, I
B
= 12mA
I
C
= 5A, I
B
= 20mA
I
C
= 3A, I
B
= 12mA
V
CE
= 10V, I
C
= 0.5A, f = 1MHz
I
C
= 3A, I
B1
= 12mA, I
B2
= –12mA,
V
CC
= 50V
I
C
= 2A, L = 100mH, R
BE
= 100
min
50
1000
2000
50
typ
20
0.3
3
1
max
100
2
70
10000
2.5
4
2.5
Unit
μ
A
mA
V
V
V
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
*1
h
FE2
Rank classification
Rank
Q
P
h
FE2
2000 to 5000
4000 to 10000
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
*2
E
s/b
Test circuit
Unit: mm
4.2
±
0.2
Internal Connection
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TO–220 Full Pack Package(a)
10.0
±
0.2
5.5
±
0.2
7
±
0
1
±
0
0
±
0
1
±
0
S
4
0.5
+0.2
–0.1
1.4
±
0.1
1.3
±
0.2
0.8
±
0.1
2.54
±
0.25
5.08
±
0.5
2
1
3
2.7
±
0.2
4
±
0
φ
3.1
±
0.1
B
E
C
X
L
1
Y
G
6V
120
R
BE
60Hz mercury relay
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1327 | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For midium speed power switching |
| 2SD1328 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) |
| 2SD1330 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) |
| 2SD1341P | 2SD1341P |
| 2SD1349 | NPN Darlington Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1328 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD132800L | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD13280RL | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD13280SL | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD13280TL | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。