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參數(shù)資料
型號: 2SD1327
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For midium speed power switching
中文描述: 8 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F
封裝: TO-220, FULL PACK-3
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 50K
代理商: 2SD1327
1
Power Transistors
2SD1327
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For midium speed power switching
I
Features
G
Incorporating a zener diode of 60V zener voltage between col-
lector and base
G
Minimized variation in the breakdown voltage
G
Large energy handling capability
G
High-speed switching
G
Full-pack package which can be installed to the heat sink with
one screw
I
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
60
±
10
60
±
10
7
12
8
45
2
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(T
C
=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Energy handling capability
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
t
on
t
stg
t
f
E
s/b*2
Conditions
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
V
CE
= 3V, I
C
= 4A
V
CE
= 3V, I
C
= 8A
I
C
= 4A, I
B
= 8mA
I
C
= 4A, I
B
= 8mA
V
CE
= 10V, I
C
= 0.5A, f = 1MHz
I
C
= 4A, I
B1
= 8mA, I
B2
= –8mA,
V
CC
= 50V
I
C
= 1A, L = 100mH, R
BE
= 100
min
50
2000
500
50
typ
20
0.5
4
1
max
100
2
70
10000
1.5
2
Unit
μ
A
mA
V
V
V
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
P
h
FE1
2000 to 5000
4000 to 10000
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
*2
E
s/b
Test circuit
Unit: mm
4.2
±
0.2
Internal Connection
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TO–220 Full Pack Package(a)
10.0
±
0.2
5.5
±
0.2
7
±
0
1
±
0
0
±
0
1
±
0
S
4
0.5
+0.2
–0.1
1.4
±
0.1
1.3
±
0.2
0.8
±
0.1
2.54
±
0.25
5.08
±
0.5
2
1
3
2.7
±
0.2
4
±
0
φ
3.1
±
0.1
B
E
C
X
L
1
Y
G
6V
120
R
BE
60Hz mercury relay
相關PDF資料
PDF描述
2SD1328 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SD1330 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SD1341P 2SD1341P
2SD1349 NPN Darlington Transistor
2SD1350 Silicon NPN triple diffusion planer type
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1328 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD132800L 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD13280RL 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD13280SL 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD13280TL 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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