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參數資料
| 型號： | 2SD1406Y |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS |
| 中文描述： | 聲頻功率放大器應用 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | 2SD1406Y |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1408 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
| 2SD1417 | 2SD1417 |
| 2SD1428 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE |
| 2SD1429 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE |
| 2SD1430 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1407A-O(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1407A-Y(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1407A-YF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
| 2SD1407Y | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1409 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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