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參數資料
| 型號： | 2SD1624L-R-AB3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SD1624L-R-AB3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1624
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2007 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R208-005.C
HIGH CURRENT SWITCHIG
APPLICATION
DESCRIPTION
The UTC 2SD1624 applies to voltage regulators, relay drivers,
lamp drivers, and electrical equipment.
FEATURES
* Adoption of FBET, MBIT processes
* Low collector-to-emitter saturation voltage
* Fast switching speed.
* Large current capacity and wide ASO.
Lead-free: 2SD1624L
Halogen-free: 2SD1624G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SD1624-x-AB3-R
2SD1624L-x-AB3-R
2SD1624G-x-AB3-R
SOT-89
B
C
E
Tape Reel
MARKING
XX
DG
Date Code
L: Lead Free
G: Halogen Free
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1624L-S-AB3-R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624U | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624T | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1628 | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1624-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1624S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624S-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624T-TD-E | 功能描述:TRANS NPN BIPOLAR PCP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1624T-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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