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參數資料
| 型號： | 2SD1631 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | npn型外延型（微電機驅動，錘子驅動，開關，功率放大器應用） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | 2SD1631 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1632 | Horizontal Deflection Output |
| 2SD1633 | Silicon NPN triple diffusion planar type darlington |
| 2SD1634 | Silicon PNP Triple-Diffused Planar Darlington Type |
| 2SD1640 | Silicon NPN epitaxial planar darlington type AF output amplifier |
| 2SD1641 | SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH DC CURRNT GAIN,HIGH POWER AMPLIFIER TV POWER SOURCE OUTPUT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1631(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans Darlington NPN 30V 1.5A 3-Pin MSTM Bulk |
| 2SD1632RL | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD16330P | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD16400Q | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD16400R | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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