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參數資料
型號: 2SD1664L-Q-AB3-R
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 117K
代理商: 2SD1664L-Q-AB3-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1664
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R208-025.C
MEDIUM POWER
NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SD1664 is an epitaxial planar type NPN silicon
transistor.
FEATURES
*Low VCE(SAT): VCE (SAT)= 0.15V(Typ.)
(IC/IB= 500mA/50mA)
* Complement the 2SB1132.
SOT-89
1
Lead-free:
2SD1664L
Halogen-free:2SD1664G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SD1664-x-AB3-R
2SD1664L-x-AB3-R
2SD1664G-x-AB3-R
SOT-89
B
C
E
Tape Reel
相關PDF資料
PDF描述
2SD1664L-R-AB3-R 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1666-R 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1666S 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1133R 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1133Q 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD1664T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1664T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1664T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1666 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 3A 20W BCE
2SD1667 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 5A 20W BCE
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