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參數資料
| 型號： | 2SD1664R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 2SD1664R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2212B | 2000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4132Q | 2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1898 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5053 | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2211 | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1664T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1664T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1664T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1666 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 3A 20W BCE |
| 2SD1667 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 5A 20W BCE |
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