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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1685E |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126ML, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2SD1685E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1710C | 7 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1788 | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1853 | 1500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1857ATV2N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1857ATV2/N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1685F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1685G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1691-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-126 Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN Power Transistor, 60V, 5.0A, TO-126 |
| 2SD1691-AZ(L) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1691-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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