- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄55792 > 2SD1857ATV2/N 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SD1857ATV2/N |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | 2SD1857ATV2/N |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1857TV2R | 2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1859TV2/P | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1898 | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1899-Z | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1922 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1857ATV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857ATV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。