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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1859TV2/P |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 2SD1859TV2/P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1898 | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1899-Z | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1922 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1949T106 | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2004T105/Q | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1859TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1859TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1860 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR ATV50V .5A .6W ECB |
| 2SD1861TV2 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1862 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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