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參數資料
| 型號： | 2SD1760F5TLQ |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | 2SD1760F5TLQ |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1760TL/R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1760TLQ | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1864TV2P | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1762D | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD1762/E | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1760FRATLR | 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:HIGH REL TRANS GP BJT NPN 50V 3A TR |
| 2SD1760TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1760TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1760TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1760TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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