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參數資料
| 型號： | 2SD1806 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SD1806 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1806E | 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1816G-R-TF3-T | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1816L-T-TF3-T | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1816L-S-TF3-T | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1816L-Q-TF3-T | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1807 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR S-TYPE 30V .1A .3W ECB |
| 2SD1815S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1815S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1815S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1815S-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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