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參數資料
| 型號： | 2SD1823 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 中文描述： | 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SD1823 |
1
Transistor
2SD1823
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency amplification
I
Features
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
High emitter to base voltage V
EBO
.
G
Low noise voltage NV.
G
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–70
S–Mini Type Package
2.1
±
0.1
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
+
–
0
+
–
2
±
0
1.25
±
0.1
0.425
0.425
1
3
2
0
0
0
0
0.2
±
0.1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
50
40
15
100
50
150
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
f
T
Conditions
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
CE
= 20V, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 2mA
I
C
= 10mA, I
B
= 1mA
V
CB
= 10V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
min
50
40
15
400
typ
1000
0.05
120
max
100
1
2000
0.2
Unit
nA
μ
A
V
V
V
V
MHz
Marking symbol :
1Z
*
h
FE
Rank classification
Rank
R
S
T
h
FE
400 ~ 800
600 ~ 1200 1000 ~ 2000
Marking Symbol
1ZR
1ZS
1ZT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD18230RL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1823GRL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD18240RL | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD18240SL | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1824GRL | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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