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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1830-RA |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | 2SD1830-RA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1209(K)TZ | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1209(K) | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1209(K) | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1209(K) | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1221-Y(2-7B2A) | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1832 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TP-220FP80V 5A 30W BCE |
| 2SD1833 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220FP100V 7A 30W BCE |
| 2SD1834T100 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1835S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1835S-AA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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