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參數資料
| 型號： | 2SD1835R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁|甲一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 405K |
| 代理商： | 2SD1835R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD19355 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236VAR |
| 2SD19356 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD19357 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236VAR |
| 2SD19358 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1936S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1835S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1835S-AA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1835T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1835T-AA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1843 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR SP-8 60V 1A 1W ECB |
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