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參數資料
| 型號： | 2SD1857TV2P |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | 2SD1857TV2P |
(96-237-C74)
External dimensions (Units: mm)
243
Transistors
Low Frequency Transistor
(20V, 3A)
2SD2150 / 2SC4115S / 2SD2264
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.2V (Typ.)
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.1A)
2) Excellent current gain characteris-
tics.
3) Complements the
2SB1424 / 2SA1585S.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1857TV2Q | BJT |
| 2SD1857TV2R | BJT |
| 2SD2150S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-62 |
| 2SC4103 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4103M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1857TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1858 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTORSUB P-2SD1858R |
| 2SD1858R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1858TV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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