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參數資料
型號: 2SD1890P
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
中文描述: 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 80V的五(巴西)總裁| 3A條一(c)|的SOT - 186
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代理商: 2SD1890P
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PDF描述
2SD1890Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
2SD1891
2SD1891P TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 90V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
2SD1891Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 90V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
2SD1892P TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD1897 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1898T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1898T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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