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參數資料

相關PDF資料	PDF描述
2SD1891P	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 90V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SD1891Q	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 90V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SD1892P	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SD1892Q	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SD1893P	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 110V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-247VAR

相關代理商/技術參數	參數描述
2SD1897	制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1898T100	制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1898T100P	功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100Q	功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100R	功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

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